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求SI2301资料

悬赏：5     提问者：深圳楷轩电子有限公司     解决时间：2011/5/25 11:41:58

求SI2301资料

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SI2301特点:晶体管类型：P沟道MOSFET, 最大功耗PD：1.25W, 栅极门限电压VGS：2.5V（典型值）, 漏源电压VDS：－20V（极限值）, 漏极电流ID：－2.3A, 通态电阻RDS(on）：0.145ohm（典型值）, 栅极漏电流IGSS：±100nA, 结温:-55℃to+150℃, 封装：SOT-23(TO-236)

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3 您已评价！ 回答者：深圳市一统电子   2011/4/26 9:06:04

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SI2301PDF资料：http://www.hqew.com/tech/pdf/view_9c601d27-c868-46ad-ba91-15bb555cc2f8.html#LoginUser

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1 您已评价！ 回答者： 深圳市一统电子    2011/4/26 9:04:59

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