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IRF9Z24NSTRR相关信息：

类别：分离式半导体产品家庭：MOSFET，GaNFET - 单系列：HEXFET®FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 特点：标准型开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：175 毫欧 @ 7.2A, 10V漏极至源极电压(Vdss)：55V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：12AId 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs：19nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：350pF @ 25V功率 - 最大：3.8W安装类型：表面贴装封装/外壳：D²Pak，TO-263（2 引线 + 接片）包装：带卷 (TR)供应商设备封装：D2PAK

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